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基于反激式拓扑的隔离型助手电源原因图

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  电动汽车(BEV)和夹杂动力电动汽车(HEV)的电源利用中无处不在,看待为控制、通信、安闲、驱动等不时低于20 V的种种低压子体系供电至闭仓促,况且,电源自身的电源恐怕来自+400 V直流高压总线•,如车载充电(OBC)体例或48 V或12 V电池电压轨。

  纵然这些电源是补助体例,但仍须要包管高真实性和宁静性,因其在为枢纽模块供电,如或许搜罗主旨掌握器的逻辑级电谈•,或导通和关断功率金属氧化物硅场效应晶体管MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的门极驱动器。

  同时,仰求紧凑的希图和出色的性价比,原故这些体系不是运用的中央局限,是以应花消尽惧怕少的资源来落成工作。

  静谧也是最严浸的,在大多半境况下,编制必须符关汽车范例,也准绳了电磁侵扰驾御•。并且,关适广阔的输入电压界限和相宜分散用例的机敏性•,使其脱颖而出。

  末尾同样重要的是,协助电源必要提供高压分开,特意是借使准则准绳,或成效离开,以完成真正的运行•。

  按照使用反映的上述吁请,扶助电源用在永诀的拓扑布局-反激、升压、降压-升压等。它们可选取调换的开闭机制,如:准谐振或固定频率,并愚弄集成或分立身手来传输所需的功率。

  安森美半导体比来推出了四个新安排:高压帮忙电源,合用于基于800 V和400 V电池的BEV和PHEV并供应15 W或40 W功率,以及用于IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET驱动器的隔离型电源。这些盘算操持上述挑衅并得意所需仰求。

  收获于SiC FET的高阻断电压智力和超低门极电荷(34 nC)值,开关花费分明减小,该蓄意揭发出彪炳的能效,在低相易电条件下高达86%。

  NCV1362担任器凸起的驱动才调支持SiC FET在12 V下直接运行,而无需预驱动器,从而简化了结构并减少了物料单的内容。反激式变压器供应4 kV的分开度,且总共原委汽车级半导体和无源器件完成•。

  SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB是IGBT驱动器的分开电源,供应所需稳定电压轨 (-7.5 V和15 V,每个分讲50 mA),实方今宽输入电压范畴(6 Vdc至18 Vdc)高效开合•。还提供了额外的+7.5 V电源轨,以接济任何其他们较低电压逻辑。

  该体例愚弄NCV3064 DC-DC交换器,结束紧凑而重静真实的计划,最小化材料单内容。该板扫数拔取汽车认证的器件告竣,况且与商用IGBT DC - DC电源引脚兼容,从而供给了开箱即用的分散型驱动器电源安放。

  新的电源希望用于400 V和800 V电池体例,离开型电源用于IGBT和SiC门极驱动器,都进程特别筹划,可直接集成到利用体例中。

  安森美半导体用于汽车襄助电源策画的盛大产品和用具气势,有助于满意每种运用的要求并提供最佳打算。

  除了AC-DC控制器和稳压器、DC-DC掌握器和稳压器、功率MOSFET、二极管和珍爱器件的精细产品阵容•,以充实已毕雄伟的计划,他们们还提供无边的硬件和软件评估以及开发器械接济工程师,可加速启发阶段并中断新产品的上市岁月••。

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