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反激变压器的优化谋略

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  &安规、真实性等地位,主持本事的快速提高(如PSR专揽•、高频QR、ACF)使得古代变压器计算方法已穷于应对•,Chipown身手团队遵循多年实战贯通,将为公共接连专题分享《反激变压器优化安顿》的系列心得,朝气能助电源攻城狮们一臂之力!

  1.反激变压器有变压和储能双重效用:当Q1导公则D1终止•,变压器储能能量于初级电感Lp中;当Q1终了则D1导通,变压器向次级负载释放能量•; 2.由于反激变更器多基于峰值电流垄断•,是以Ipmax由专揽芯片经历CS电阻限制; 3.变压器磁化曲线在第一象限:为压迫变压器饱和,磁芯需开气隙•,使得最大磁通密度Bm

  磁化曲线. 电流密度定义为流过线圈电流有效值除以线圈截面积。电流密度越小,变压器线圈的发热则越小。

  1.趋肤效应:高频电流流过导体时,越接近导体外貌电流密度越大,越迫近导体宗旨电流密度较小•,了局使导体耗费填补。导线中电流密度从外貌到核心按指数原则颓丧,工程上定义外貌下穿透深度以内流导线一齐电流。

  由于反激电源里面的高频干扰源电流方向区别,可经验优化策画变压器使烦扰互相抵消:当共模平台电压进步则填充屏障圈数,向下则紧缩屏蔽圈数,直至共模平台电压独揽在2V以内•。

  后续Chipown材干团队将始末深切领会PWM、PFM、QR垄断政策•,分享从芯片独揽发轫有针对性的优化安顿反激变压器,列位粉丝敬请眷注•!

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