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单片式开关稳压器——当总共全数都集成在芯片上时

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  )鸠集成在单个硅芯片中。行使控制器构修时,除了控制器IC,还必须零丁抉择半导体和肯定其地方。选择MOSFET卓绝亏本时候,且必要对开合的参数有必然懂得。应用单片式安排时,策画人员无需统治这些标题。其余,比拟高度集成的打点安排•,控制器管理安插大凡会占用更多的空间•。因此,毫不不料多年来人们越来越多地拔取单片式开关稳压器,现在,尽管对于更高功率,ADI公司也有巨额的收拾方案可供选拔。图1左侧是单片式

  虽然单片式解决部署必要的空间较少,也简化了打算经过,但另一方面,控制器管理谋略的优势是愈加伶俐。打算人员可感到左右器执掌策动选拔过程优化、适关特定运用的开合管,也大概驾驭开合管的栅级,以是可以阅历更秘密地安置无源组件来感动开关边沿。其它,操纵器惩罚筹划适宜高功率,原故能够选取大型分立式开合管,且开合打发会分隔驾驭器IC。

  然而,除了这些熟知的单片式打点筹划的有利和晦气要素以外,另有一个身分利便怠忽•。在开关稳压器中,所谓的热回途是杀青低辐射的决策成分。在全部开合稳压器中,应虽然优化EMC。收工优化的基础规则之一是:最小化各个热回路中的寄生电感。在降压更正器中,输入电容和高压侧开合之间的途径,高压侧开合和低压侧开关之间的连接,以及低压侧开闭和输入电容之间的承接都是热回途的一部分。它们都是电流阶梯,个中的电流随开关心换的速度而变革。阅历快快的电流转变,因寄生电感形成电压偏移,可能行为干扰耦闭到区别的电路个体。

  因此•,这些热回讲中的寄生电感必须保持尽可能低。图2用血色标出各热回谈阶梯,左侧为单片式开合稳压器,右侧为把握器措置安插。所有人或许看到,单片式收拾策划具有两大优势。一,其热回路比掌握器执掌筹划的热回路小•。二•,高压侧开关和低压侧开关之间的毗连说径卓绝短•,且只在硅芯片上完成走线。两者比拟•,对待带左右器IC的管制企图,衔尾的电流道路必须经历封装的寄生电感布线,日常遴选的键合线和引线框架具有寄生电感。这会导致更高的电压偏置,以及更差的EMC机能•。

  因此,单片式开合稳压工具备特殊的,少为人知的EMI优势。这种干扰有多强,对电谈有什么陶染,周密取决于良多其他参数。不过,就EMC机能而言,单片式开关稳压器和带支配器IC的措置铺排之间糊口区别,这一点值得参议•。

  FrederikDostal曾就读于德国埃尔兰根大学微电子学专业。全班人于2001年最先处事,涉足电源执掌业务,曾担当多种利用工程师职位,并在亚利桑那州凤凰城管事了四年,卖力开合模式电源。他于2009年参与ADI公司,并在慕尼黑ADI公司刻意电源处分现场运用工程师。

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